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IRFR1010ZTRLPBF  与  RD3L08BGNTL  区别

型号 IRFR1010ZTRLPBF RD3L08BGNTL
唯样编号 A-IRFR1010ZTRLPBF A-RD3L08BGNTL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@42A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 119W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5mOhms@80A,10V
栅极电压Vgs ±20V 2.5V@100uA
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK TO-252-3
连续漏极电流Id 42A(Tc) 80A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150℃(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
Vgs(最大值) - ±20V
栅极电荷Qg - 71nC@10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1010ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 42A(Tc) ±20V 140W(Tc) 7.5mΩ@42A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 当前型号
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 60V

¥13.2525 

阶梯数 价格
20: ¥13.2525
50: ¥8.72
100: ¥8.1547
300: ¥7.7714
500: ¥7.6947
1,000: ¥7.6468
1,844 对比
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 60V

¥13.2525 

阶梯数 价格
20: ¥13.2525
50: ¥8.72
100: ¥8.1547
300: ¥7.7714
500: ¥7.6947
1,000: ¥7.6468
1,217 对比
IRFR1010ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@42A,10V N-Channel 55V 91A D-Pak

暂无价格 0 对比
TK6R7P06PL,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 66W(Tc) DPAK 175°C 60 V 46A(Tc)

暂无价格 0 对比
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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