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IRFR024NTRPBF  与  ZXMN6A08KTC  区别

型号 IRFR024NTRPBF ZXMN6A08KTC
唯样编号 A-IRFR024NTRPBF A36-ZXMN6A08KTC
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 2.12W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 80mΩ@4.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 459 pF @ 40 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.8 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 5.36A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 370pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 2,000 4,699
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.804
100+ :  ¥1.3904
1,250+ :  ¥1.2056
2,500+ :  ¥1.1528
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak

暂无价格 2,000 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A

¥1.969 

阶梯数 价格
30: ¥1.969
100: ¥1.518
1,250: ¥1.32
2,500: ¥1.243
7,091 对比
ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.12W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 5.36A(Ta)

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.3904
1,250: ¥1.2056
2,500: ¥1.1528
4,699 对比
STD16NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.222 

阶梯数 价格
30: ¥2.222
100: ¥1.716
1,250: ¥1.496
2,481 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.188
1,069 对比
STD12NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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