IRFR010PBF 与 IRF7201PBF 区别
| 型号 | IRFR010PBF | IRF7201PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR010PBF | A-IRF7201PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 2.5 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 25W(Tc) | 2.5W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 50V | 30V |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 8.2A(Tc) | 7.3A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 200 mOhms @ 4.6A,10V | 30mΩ@7.3A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 28nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR010PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.2A(Tc) N-Channel 200 mOhms @ 4.6A,10V 25W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 50V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7201PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30mΩ@7.3A,10V ±20V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 7.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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