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IRFPF50PBF  与  IPW65R660CFD  区别

型号 IRFPF50PBF IPW65R660CFD
唯样编号 A-IRFPF50PBF A-IPW65R660CFD
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 900 V 1.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6Ω 660mΩ
上升时间 34ns 8ns
Qg-栅极电荷 200nC 22nC
栅极电压Vgs 2V 30V
正向跨导 - 最小值 4.9S -
封装/外壳 TO-247AC-3 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6.7A 6A
配置 Single Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 37ns 10ns
高度 - 21.1mm
漏源极电压Vds 900V 650V
Pd-功率耗散(Max) 190W 63W
典型关闭延迟时间 130ns -
FET类型 - N-Channel
系列 IRFPF CoolMOSCFD2
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
典型接通延迟时间 20ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFPF50PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 6.7A 190W 1.6Ω 900V 2V TO-247AC-3

暂无价格 0 当前型号
IPW65R660CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R660CFDFKSA1_650V 6A 660mΩ 30V 63W N-Channel

暂无价格 0 对比

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