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IRFP90N20DPBF  与  IRFP90N20D  区别

型号 IRFP90N20DPBF IRFP90N20D
唯样编号 A-IRFP90N20DPBF A-IRFP90N20D
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 580 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@56A,10V 23mΩ
栅极电压Vgs ±30V 30V
封装/外壳 TO-247AC TO-247
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 94A 94A
Ptot max - 580.0W
QG - 180.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6040pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 2.02
RthJC max - 0.26K/W
漏源极电压Vds 200V 200V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 580W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 87.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6040pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFP90N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 580W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@56A,10V N-Channel 200V 94A TO-247AC

暂无价格 0 当前型号
IRFP90N20D Infineon  数据手册 功率MOSFET

23mΩ 200V TO-247 N-Channel 30V 94A

暂无价格 0 对比

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