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IRFP4668PBF  与  IRFP90N20DPBF  区别

型号 IRFP4668PBF IRFP90N20DPBF
唯样编号 A-IRFP4668PBF A-IRFP90N20DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 580 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.7mΩ@81A,10V 23mΩ@56A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 520W(Tc) 580W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A 94A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 10720pF @ 50V 6040pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 241nC @ 10V 270nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10720pF @ 50V 6040pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 241nC @ 10V 270nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFP4668PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 520W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9.7mΩ@81A,10V N-Channel 200V 130A TO-247AC

暂无价格 0 当前型号
IRFP4227PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-40°C~175°C(TJ) TO-247AC 200V 65A 25mΩ 30V 330W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFP90N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 580W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@56A,10V N-Channel 200V 94A TO-247AC

暂无价格 0 对比

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