首页 > 商品目录 > > > > IRFP3710PBF代替型号比较

IRFP3710PBF  与  IRFP3710  区别

型号 IRFP3710PBF IRFP3710
唯样编号 A-IRFP3710PBF A-IRFP3710
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 200 W 190 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@28A,10V 25mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-247AC TO-247
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 57A 51A
Ptot max - 180.0W
QG - 66.7nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.78
RthJC max - 0.83K/W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 17.3nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFP3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-247AC

暂无价格 0 当前型号
IRFP3710 Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-247

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售