IRFL024ZTRPBF 与 STN3NF06L 区别
| 型号 | IRFL024ZTRPBF | STN3NF06L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFL024ZTRPBF | A3-STN3NF06L |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 55 V 2.8 W 9.1 nC Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOT-223 | STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 57.5mΩ@3.1A,10V | 100mΩ@1.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 3.3W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.1A | 4A |
| 系列 | HEXFET® | STripFET™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 340pF @ 25V | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | 9nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 4,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFL024ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 |
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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