首页 > 商品目录 > > > > IRFIZ44NPBF代替型号比较

IRFIZ44NPBF  与  IRFIZ44N  区别

型号 IRFIZ44NPBF IRFIZ44N
唯样编号 A-IRFIZ44NPBF A-IRFIZ44N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 0.024 Ohm 65 nC 45 W Flange Mount Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ 24mΩ
Qg-栅极电荷 43.3nC -
栅极电压Vgs 20V 20V
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3 FP
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 28A 28A
配置 Single -
Ptot max - 38.0W
长度 10mm -
QG - 43.3nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
高度 15.65mm -
Budgetary Price €€/1k - 0.44
RthJC max - 3.3K/W
漏源极电压Vds 55V 55V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 38W -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 18.0nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFIZ44NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 55V 28A 24mΩ 20V 38W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
IRFIZ48NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 54W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 16mΩ@22A,10V N-Channel 55V 36A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFIZ44N Infineon  数据手册 功率MOSFET

24mΩ 55V TO-220-3 FP N-Channel 20V 28A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售