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IRFIZ34NPBF  与  IRFIZ34N  区别

型号 IRFIZ34NPBF IRFIZ34N
唯样编号 A-IRFIZ34NPBF A-IRFIZ34N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 37 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@11A,10V 40mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3 FP
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 21A 19A
Ptot max - 31.0W
QG - 22.7nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.36
RthJC max - 4.1K/W
漏源极电压Vds 55V 55V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 37W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 9.3nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFIZ34NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 37W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@11A,10V N-Channel 55V 21A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRFIZ34N Infineon  数据手册 功率MOSFET

40mΩ 55V TO-220-3 FP N-Channel 20V 19A

暂无价格 0 对比

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