IRFIBE30GPBF 与 FQPF2N80 区别
| 型号 | IRFIBE30GPBF | FQPF2N80 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFIBE30GPBF | A3t-FQPF2N80 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 800 V 3 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 35W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3Ω | 6.3 欧姆 @ 750mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | 35W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 整包 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 2.1A | 1.5A(Tc) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1300pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFIBE30GPBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 2.1A 3Ω |
暂无价格 | 20 | 当前型号 |
|
FQPF3N80C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Tc) ±30V 39W(Tc) 4.8 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 800V 3A TO-220F-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
FQPF3N80C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
3A(Tc) ±30V 39W(Tc) 4.8 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 800V 3A TO-220F-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FQPF2N80 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 800V 1.5A(Tc) ±30V 6.3 欧姆 @ 750mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 整包 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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