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IRFI4410ZPBF  与  AOTF296L  区别

型号 IRFI4410ZPBF AOTF296L
唯样编号 A-IRFI4410ZPBF A-AOTF296L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 12
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@26A,10V 10mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 12.5mΩ
Qgd(nC) - 5
栅极电压Vgs ±30V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 13
封装/外壳 TO-220AB TO-220F
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 43A 41A
Ciss(pF) - 2785
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4910pF -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 35
Td(off)(ns) - 29
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 47W(Tc) 36.5W
Qrr(nC) - 210
VGS(th) - 3.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4910pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC -
Coss(pF) - 238
Qg*(nC) - 37*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥17.536
500+ :  ¥13.7141
1,000+ :  ¥10.697
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFI4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 47W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9.3mΩ@26A,10V N-Channel 100V 43A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
AOTF296L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 100V 20V 41A 36.5W 10mΩ@10V

¥17.536 

阶梯数 价格
210: ¥17.536
500: ¥13.7141
1,000: ¥10.697
0 对比

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