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IRFI4019H-117PXKMA1  与  IRFI4019H-117P  区别

型号 IRFI4019H-117PXKMA1 IRFI4019H-117P
唯样编号 A-IRFI4019H-117PXKMA1 A-IRFI4019H-117P
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 95mΩ@5.2A,10V
功率-最大值 18W(Tc) -
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 18W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 810pF @ 25V -
FET类型 2 N-通道(双) N-Channel
封装/外壳 TO-220-5 全封装(成形引线) TO-220-5
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8.7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 810pF @ 25V
FET功能 标准 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 95 毫欧 @ 5.2A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 8.7A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 150V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 810pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFI4019H-117PXKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

2 N-通道(双) TO-220-5 全封装(成形引线) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFI4019H-117P Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 95mΩ@5.2A,10V 18W N-Channel 150V 8.7A TO-220-5

暂无价格 0 对比

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