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IRFI3205PBF  与  TK40A06N1,S4X  区别

型号 IRFI3205PBF TK40A06N1,S4X
唯样编号 A-IRFI3205PBF A-TK40A06N1,S4X
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 63 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@34A,10V -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1700 pF @ 30 V
Vgs(th) - 4V @ 300uA
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 23 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220AB TO-220SIS
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 64A 40A(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 63W(Tc) 30W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 10.4 毫欧 @ 20A,10V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFI3205PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 63W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@34A,10V N-Channel 55V 64A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRFI1010NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 58W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12mΩ@26A,10V N-Channel 55V 49A TO-220AB

暂无价格 0 对比
FCPF16N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

16A(Tc) 37.9W(Tc) 260m Ohms@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 16A N-Channel 16 A 600V 260 m0hms 5V ±30V TO-220F 增强 1730 pF @ 25 V 10.1*4.7*9.4mm TO-220F-3

暂无价格 0 对比
TK40A06N1,S4X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 30W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 60 V 40A(Tc)

暂无价格 0 对比
AUIRLI2505 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8mΩ 55V TO-220-3 FP N-Channel 16V 58A 车规

暂无价格 0 对比
IRFI3205 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8mΩ 55V TO-220-3 FP N-Channel 20V 56A

暂无价格 0 对比

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