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IRFI3205PBF  与  FCPF16N60  区别

型号 IRFI3205PBF FCPF16N60
唯样编号 A-IRFI3205PBF A-FCPF16N60
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 63 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK N-Channel 600 V 0.26 Ohm Flange Mount SuperFET Mosfet TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 37.9 W
宽度 - 4.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@34A,10V 260 m0hms
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 3V
栅极电压Vgs ±20V ±30V
封装/外壳 TO-220AB TO-220F-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 64A 16 A
长度 - 10.1mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
最高工作温度 - +150 °C
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
高度 - 9.4mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 165 ns
漏源极电压Vds 55V 1730 pF @ 25 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 63W(Tc) 37.9W(Tc)
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel 增强
系列 HEXFET® SuperFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V 2250pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 70nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 42 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFI3205PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 63W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@34A,10V N-Channel 55V 64A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRFI1010NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 58W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12mΩ@26A,10V N-Channel 55V 49A TO-220AB

暂无价格 0 对比
FCPF16N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

16A(Tc) 37.9W(Tc) 260m Ohms@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 16A N-Channel 16 A 600V 260 m0hms 5V ±30V TO-220F 增强 1730 pF @ 25 V 10.1*4.7*9.4mm TO-220F-3

暂无价格 0 对比
TK40A06N1,S4X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 30W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 60 V 40A(Tc)

暂无价格 0 对比
AUIRLI2505 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8mΩ 55V TO-220-3 FP N-Channel 16V 58A 车规

暂无价格 0 对比
IRFI3205 Infineon  数据手册 功率MOSFET

8mΩ 55V TO-220-3 FP N-Channel 20V 56A

暂无价格 0 对比

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