IRFHM9331TRPBF 与 SI7129DN-T1-GE3 区别
| 型号 | IRFHM9331TRPBF | SI7129DN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFHM9331TRPBF | A-SI7129DN-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm | P-Channel 30 V 0.0114 O 71 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10mΩ@11A,20V | 16mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W(Ta) | 3.8W(Ta),52.1W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | PQFN(3x3) | PowerPak1212-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -50°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 11A | 35A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1543pF @ 25V | 3345pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 10V | 71nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V,20V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1543pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 35 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFHM9331TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 10mΩ@11A,20V P-Channel 30V 11A PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SI7129DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),52.1W(Tc) -50°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 30V 35A 16mΩ |
暂无价格 | 35 | 对比 |
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