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IRFHM8363TRPBF  与  AON6910A  区别

型号 IRFHM8363TRPBF AON6910A
唯样编号 A-IRFHM8363TRPBF A-AON6910A
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 8-DFN(5x6)
连续漏极电流Id 11A 9.1A,16A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.9mΩ@10A,10V 14 mΩ @ 9.1A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W 1.9W,2W
栅极电荷Qg - 9nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1165pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
FET类型 - 2N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFHM8363TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 11A 14.9mΩ@10A,10V 2.7W -55°C~150°C(TJ) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

暂无价格 0 当前型号
AON6910A AOS 功率MOSFET

9.1A,16A 2N-Channel 14 mΩ @ 9.1A,10V 8-DFN(5x6) 1.9W,2W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

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