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IRFHM830TRPBF  与  RS1E200BNTB  区别

型号 IRFHM830TRPBF RS1E200BNTB
唯样编号 A-IRFHM830TRPBF A33-RS1E200BNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 6 mO 15 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@20A,10V 3.9mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta),37W(Tc) 3W(Ta),25W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PQFN(3x3) 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 21A 20A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2155pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2155pF @ 25V 3100pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V 59nC @ 10V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFHM830TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(3x3)

暂无价格 0 当前型号
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8844 

阶梯数 价格
60: ¥2.8844
100: ¥2.5681
500: ¥2.5681
1,000: ¥2.5586
2,000: ¥2.549
2,500 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 30 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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