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IRFHM3911TRPBF  与  FDMC3612  区别

型号 IRFHM3911TRPBF FDMC3612
唯样编号 A-IRFHM3911TRPBF A36-FDMC3612
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 12 A 110 mOhm Surface Mount PowerTrench® MOSFET-MLP 3.3 x 3.3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 115mΩ@6.3A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),29W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 PQFN 3.3X3.3 8L -
连续漏极电流Id 3.2A(Ta),20A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
库存与单价
库存 4,000 98
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.411
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFHM3911TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) ±20V 2.8W(Ta),29W(Tc) 115mΩ@6.3A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 3.3X3.3 8L

暂无价格 4,000 当前型号
DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 940mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.9A(Ta),8.5A(Tc)

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
750: ¥0.9922
1,500: ¥0.9009
2,920 对比
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 940mW(Ta) 122mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN N-Channel 100V 2.9A(Ta),8.5A(Tc)

¥1.518 

阶梯数 价格
40: ¥1.518
50: ¥1.166
1,450 对比
FDMC3612 ON Semiconductor 功率MOSFET

¥4.411 

阶梯数 价格
20: ¥4.411
98 对比
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 940mW(Ta) 122mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN N-Channel 100V 2.9A(Ta),8.5A(Tc)

暂无价格 0 对比
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 940mW(Ta) 122mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN N-Channel 100V 2.9A(Ta),8.5A(Tc)

暂无价格 0 对比

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