IRFH8337TRPBF 与 SIRA18DP-T1-GE3 区别
| 型号 | IRFH8337TRPBF | SIRA18DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFH8337TRPBF | A-SIRA18DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 30V, 16.2A, 0.0128 ohms, PQFN 5x6 HEXFET POWER MOSFET | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.2W(Ta),27W(Tc) | 3.3W(Ta),14.7W(Tc) |
| 宽度 | - | 5.15 mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | +20V,-16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | PQFN(5x6) | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 12A | 15.5A |
| 系列 | HEXFET® | SIR |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 790pF @ 10V | 1000pF @ 15V |
| 长度 | - | 6.15 mm |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | 21.5nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 790pF @ 10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 12.8mΩ@16.2A,10V | 7.5mΩ |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | - |
| 高度 | - | 1.04 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFH8337TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.2W(Ta),27W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.8mΩ@16.2A,10V N-Channel 30V 12A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
|
SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
