IRFH8325TRPBF 与 CSD17310Q5A 区别
| 型号 | IRFH8325TRPBF | CSD17310Q5A | ||||
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| 唯样编号 | A-IRFH8325TRPBF | A36-CSD17310Q5A | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | TI | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 3.6W(Ta),54W(Tc) | - | ||||
| 功率 | - | 3.1W(Ta) | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | +10V,-8V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | PQFN 5X6 8L | 8-PowerTDFN | ||||
| 连续漏极电流Id | 21A(Ta),82A(Tc) | 21A(Ta),100A(Tc) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 3V,8V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA | 1.8V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2487pF @ 10V | 1560pF @ 15V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 5mΩ@20A,10V | 5.1 毫欧 @ 20A,8V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32nC @ 10V | 11.6nC @ 4.5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 887 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRFH8325TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
¥0.659
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10,400 | 对比 | ||||||||||
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AON7422G | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V |
¥1.644
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4,904 | 对比 | ||||||||||
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CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
¥3.648
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887 | 对比 | ||||||||||
|
AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AON7422G | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |