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IRFH8325TRPBF  与  CSD17310Q5A  区别

型号 IRFH8325TRPBF CSD17310Q5A
唯样编号 A-IRFH8325TRPBF A36-CSD17310Q5A
制造商 Infineon Technologies TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3.6W(Ta),54W(Tc) -
功率 - 3.1W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
栅极电压Vgs ±20V +10V,-8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PQFN 5X6 8L 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 21A(Ta),82A(Tc) 21A(Ta),100A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 3V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2487pF @ 10V 1560pF @ 15V
导通电阻Rds(On) 5mΩ@20A,10V 5.1 毫欧 @ 20A,8V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V 11.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 887
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.648
100+ :  ¥3.036
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH8325TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

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