IRFH8325TRPBF 与 AON7516 区别
| 型号 | IRFH8325TRPBF | AON7516 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRFH8325TRPBF | A36-AON7516 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 83 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ@20A,10V | 4.5mΩ@10V | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 6.8mΩ | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 5.5 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 7 | ||||||||
| 封装/外壳 | PQFN 5X6 8L | DFN 3x3 EP | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 21A(Ta),82A(Tc) | 30A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 1229 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2487pF @ 10V | - | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 12.6 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 24 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Ta),54W(Tc) | 25W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 15.2 | ||||||||
| VGS(th) | - | 2.2 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32nC @ 10V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 526 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 12 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 10,776 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRFH8325TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
¥1.1182
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10,776 | 对比 | ||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AON7422G | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |