IRFH8325TRPBF 与 AON7516 区别
| 型号 | IRFH8325TRPBF | AON7516 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFH8325TRPBF | A-AON7516 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 83 |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 6.8mΩ |
| Qgd(nC) | - | 5.5 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 7 |
| 封装/外壳 | PQFN 5X6 8L | DFN 3x3 EP |
| 连续漏极电流Id | 21A(Ta),82A(Tc) | 30A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 1229 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2487pF @ 10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 5mΩ@20A,10V | 4.5mΩ@10V |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 12.6 |
| Td(off)(ns) | - | 24 |
| 功率耗散Pd | 3.6W(Ta),54W(Tc) | 25W |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Qrr(nC) | - | 15.2 |
| VGS(th) | - | 2.2 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 32nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 526 |
| Qg*(nC) | - | 12 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFH8325TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
￥0.659
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10,400 | 对比 | ||||||||||
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AON7422G | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V |
￥1.644
|
4,904 | 对比 | ||||||||||
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CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥3.648
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887 | 对比 | ||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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|
AON7422G | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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