首页 > 商品目录 > > > > IRFH8325TRPBF代替型号比较

IRFH8325TRPBF  与  AON7422G  区别

型号 IRFH8325TRPBF AON7422G
唯样编号 A-IRFH8325TRPBF A-AON7422G
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 210
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@20A,10V 4.6mΩ@10V
ESD Diode - Yes
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V - 7.2mΩ
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),54W(Tc) 28W
Qrr(nC) - 15
VGS(th) - 2.4
Qgd(nC) - 12
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PQFN 5X6 8L DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 21A(Ta),82A(Tc) 32A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 2300
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2487pF @ 10V -
Schottky Diode - No
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
Trr(ns) - 11
Coss(pF) - 240
Qg*(nC) - 20
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH8325TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),82A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L

暂无价格 0 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.221 

阶梯数 价格
50: ¥1.221
100: ¥0.9394
1,250: ¥0.7832
2,500: ¥0.7106
5,000: ¥0.66
15,786 对比
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON7422G AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON7422G AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 32A 28W 4.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AON6524 AOS  数据手册 功率MOSFET

27A(Ta),68A(Tc) N-Channel ±20V 5 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 5.7W(Ta),35.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售