IRFH8324TRPBF 与 AON6558 区别
| 型号 | IRFH8324TRPBF | AON6558 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFH8324TRPBF | A-AON6558 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 59 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@20A,10V | 5.1mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 8.2mΩ |
| Qgd(nC) | - | 2.3 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 5.5 |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 | DFN 5x6 |
| 连续漏极电流Id | 23A(Ta),90A(Tc) | 30A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 1128 |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2380pF @ 10V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 13.3 |
| Td(off)(ns) | - | 22.5 |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Ta),54W(Tc) | 24W |
| Qrr(nC) | - | 25 |
| VGS(th) | - | 2.2 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 435 |
| Qg*(nC) | - | 7.4 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRFH8324TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 23A(Ta),90A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 4.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7544 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 23W 5mΩ@10V |
¥1.034
|
93,576 | 对比 | ||||||||||||
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AON7544 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 23W 5mΩ@10V |
¥1.3333
|
14,442 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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AON7544 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 23W 5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON6558 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 30A 24W 5.1mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |