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IRFH8318TRPBF  与  RS1E240GNTB  区别

型号 IRFH8318TRPBF RS1E240GNTB
唯样编号 A-IRFH8318TRPBF A33-RS1E240GNTB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@20A,10V 3.3mΩ@24A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),59W(Tc) 3W(Ta),27.4W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 27A 24A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 10V 1500pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 23nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥6.4394
50+ :  ¥4.5325
100+ :  ¥3.9001
500+ :  ¥3.4785
1,000+ :  ¥3.3922
2,000+ :  ¥3.3251
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH8318TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

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RS1E240GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

¥6.4394 

阶梯数 价格
30: ¥6.4394
50: ¥4.5325
100: ¥3.9001
500: ¥3.4785
1,000: ¥3.3922
2,000: ¥3.3251
2,500 对比
RS1E240GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

¥6.4394 

阶梯数 价格
30: ¥6.4394
50: ¥4.5325
100: ¥3.9001
500: ¥3.4785
1,000: ¥3.3922
2,000: ¥3.3251
2,500 对比
RS1E240GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

¥10.417 

阶梯数 价格
1: ¥10.417
100: ¥6.021
1,250: ¥3.8173
2,500: ¥2.7599
100 对比

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