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IRFH8311TRPBF  与  TPN2R203NC,L1Q  区别

型号 IRFH8311TRPBF TPN2R203NC,L1Q
唯样编号 A-IRFH8311TRPBF A-TPN2R203NC,L1Q
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.1mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),96W(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.2 毫欧 @ 22.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2230 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 500uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 34 nC @ 10 V
封装/外壳 PG-TDSON-8 8-TSON Advance(3.1x3.1)
连续漏极电流Id 32A(Ta),169A(Tc) 45A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4960pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH8311TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 32A(Ta),169A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),96W(Tc) 2.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8

暂无价格 0 当前型号
AON6382 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 85A 50W 1.85mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥3.069 

阶梯数 价格
20: ¥3.069
100: ¥2.464
750: ¥2.2
1,500: ¥2.079
1,622 对比
AON6382 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 85A 50W 1.85mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
TPN2R203NC,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 45A(Tc)

暂无价格 0 对比
AON6506 AOS  数据手册 功率MOSFET

33A(Ta),36A(Tc) N-Channel ±20V 2.6 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 4.2W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AON6782 AOS 功率MOSFET

24A(Ta),85A(Tc) N-Channel ±12V 2.4 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.5W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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