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IRFH7932TRPBF  与  AON7532E  区别

型号 IRFH7932TRPBF AON7532E
唯样编号 A-IRFH7932TRPBF A-AON7532E
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 104A, 0.0033 ohms, PQFN 5x6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 95
宽度 5mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ 3.5mΩ@10V
上升时间 48ns -
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 5.5mΩ
Qg-栅极电荷 34nC -
Qgd(nC) - 4.8
栅极电压Vgs 20V 20V
正向跨导 - 最小值 59S -
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 PQFN(5x6) DFN 3x3 EP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 104A 28A
配置 Single -
Ciss(pF) - 1950
长度 6mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 20ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4270pF @ 15V -
Schottky Diode - No
高度 1mm -
Trr(ns) - 17.5
Td(off)(ns) - 28
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.4W 28W
Qrr(nC) - 34.5
VGS(th) - 2.2
典型关闭延迟时间 23ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4270pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 20ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 810
Qg*(nC) - 12.8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH7932TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6) 6mm

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