首页 > 商品目录 > > > > IRFH7914TRPBF代替型号比较

IRFH7914TRPBF  与  BSC090N03LSGATMA1  区别

型号 IRFH7914TRPBF BSC090N03LSGATMA1
唯样编号 A-IRFH7914TRPBF A-BSC090N03LSGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET Power Mosfet SMT - PQFN-5 x 6 mm MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),32W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.7mΩ@14A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Ta),48A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH7914TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 15A PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
BSC090N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC090N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOL1426 AOS 功率MOSFET

10A(Ta),46A(Tc) N-Channel ±12V 10.5 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2W(Ta),43W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSC090N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC090N03LSGATMA1_30V 48A 7.5mΩ 20V 32W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售