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IRFH7914TRPBF  与  AOL1426  区别

型号 IRFH7914TRPBF AOL1426
唯样编号 A-IRFH7914TRPBF A-AOL1426
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET Power Mosfet SMT - PQFN-5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.7mΩ@14A,10V 10.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta) 2W(Ta),43W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 PQFN(5x6) UltraSO-8?
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A 10A(Ta),46A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 28nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH7914TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.7mΩ@14A,10V N-Channel 30V 15A PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
BSC090N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC090N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOL1426 AOS 功率MOSFET

10A(Ta),46A(Tc) N-Channel ±12V 10.5 mΩ @ 20A,10V UltraSO-8? 2W(Ta),43W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSC090N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC090N03LSGATMA1_30V 48A 7.5mΩ 20V 32W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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