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IRFH7004TRPBF  与  AON6230  区别

型号 IRFH7004TRPBF AON6230
唯样编号 A-IRFH7004TRPBF A-AON6230
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFH7004 Series 40 V 100 A 1.4 mOhm N-Ch HEXFET Power MOSFET - PQFN 5X6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 105
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4mΩ@100A,10V 1.44mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 2.1mΩ
Qgd(nC) - 13
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 8-PQFN(5x6) DFN 5x6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 259A 85A
Ciss(pF) - 6050
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6419pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 28
Td(off)(ns) - 59
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 156W(Tc) 104W
Qrr(nC) - 98
VGS(th) - 2.3
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6419pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 194nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 194nC @ 10V -
Coss(pF) - 1640
Qg*(nC) - 35
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH7004TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.4mΩ@100A,10V N-Channel 40V 259A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
AON6230 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 40V 20V 85A 104W 1.44mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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