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IRFH5304TRPBF  与  TPN4R303NL,L1Q  区别

型号 IRFH5304TRPBF TPN4R303NL,L1Q
唯样编号 A-IRFH5304TRPBF A-TPN4R303NL,L1Q
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@47A,10V -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1400 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 14.8 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PQFN(5x6) 8-TSON Advance(3.1x3.1)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 22A 40A(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2360pF @ 10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),46W(Tc) 700mW(Ta),34W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.3 毫欧 @ 20A,10V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2360pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥3.0924 

阶梯数 价格
1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 对比
AON7424 AOS 功率MOSFET

18A(Ta),40A(Tc) N-Channel ±20V 5.2 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(3x3) 3.1W(Ta),36W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON7568 AOS  数据手册 功率MOSFET

25A(Ta),32A(Tc) N-Channel ±20V 4.6 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(3x3) 5W(Ta),28W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
TPN4R303NL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 700mW(Ta),34W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 40A(Tc)

暂无价格 0 对比

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