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IRFH5215TRPBF  与  TPH5900CNH,L1Q  区别

型号 IRFH5215TRPBF TPH5900CNH,L1Q
唯样编号 A-IRFH5215TRPBF A-TPH5900CNH,L1Q
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 150V, 27A, 0.058 ohms, PQFN 5X6 HEXFET Power MOSFET MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 58mΩ@16A,10V -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 600 pF @ 75 V
Vgs(th) - 4V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7 nC @ 10 V
封装/外壳 PQFN(5x6) 8-SOP Advance(5x5)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 9A(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V 150 V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),104W(Tc) 1.6W(Ta),42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 59 毫欧 @ 4.5A,10V
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1350pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5215TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
TPH5900CNH,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-SOPAdvance(5x5)

暂无价格 0 对比

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