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IRFH5210TRPBF  与  BSC160N10NS3GATMA1  区别

型号 IRFH5210TRPBF BSC160N10NS3GATMA1
唯样编号 A-IRFH5210TRPBF A-BSC160N10NS3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 3.6 W 39 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 60W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.9mΩ@33A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 16 毫欧 @ 33A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2570pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 33uA
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2570pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8.8A(Ta),42A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5210TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
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BSC160N10NS3GATMA1_5.9mm

¥4.873 

阶梯数 价格
20: ¥4.873
100: ¥4.07
1,250: ¥3.751
2,500: ¥3.575
3,859 对比
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