IRFH3707TRPBF 与 RQ3E100GNTB 区别
| 型号 | IRFH3707TRPBF | RQ3E100GNTB | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-IRFH3707TRPBF | A33-RQ3E100GNTB-0 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 30 V 2.8 W 5.4 nC SMT Hexfet Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.4mΩ@12A,10V | 11.7mΩ | ||||||||||
| 上升时间 | - | 4.3ns | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7.9nC | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2.5V | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 8S | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PQFN(3x3) | HSMT-8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | 10A | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 下降时间 | - | 3.1ns | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 755pF @ 15V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W(Ta) | 2W | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 22.4ns | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 755pF @ 15V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.1nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 8.4ns | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.1nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,935 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRFH3707TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.664
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.664
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2,935 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.664
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348 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.1656
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100 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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