IRFBF30PBF 与 FQP4N90C 区别
| 型号 | IRFBF30PBF | FQP4N90C |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFBF30PBF | A3t-FQP4N90C |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 900 V 3.7 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 140W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.7 Ohms @ 2.2A,10V | 4.2 欧姆 @ 2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 900V | 900V |
| Pd-功率耗散(Max) | 125W | 140W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 3.6A(Tc) | 4A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 960pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 50 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBF30PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.6A(Tc) N-Channel 3.7 Ohms @ 2.2A,10V 125W TO-220-3 -55°C~150°C 900V |
暂无价格 | 50 | 当前型号 |
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STP3NK90Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 44,050 | 对比 |
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STP3NK90Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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STP3NK90Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FQP4N90C | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±30V 140W(Tc) 4.2 Ohms@2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 900V 4A 4A(Tc) 4.2 欧姆 @ 2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
2SK3564Q | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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