IRFB7540PBF 与 SUP60030E-GE3 区别
| 型号 | IRFB7540PBF | SUP60030E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB7540PBF | A3t-SUP60030E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N Channel 60 V 5.1 mO 160 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.1mΩ@65A,10V | 3.4 mOhms @ 30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 160W(Tc) | 375W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 110A | 120A(Tc) |
| 系列 | HEXFET®,StrongIRFET™ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.7V @ 100µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4555pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.7V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4555pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB7540PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.1mΩ@65A,10V N-Channel 60V 110A TO-220 |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
|
SUP60030E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 3.4 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 80V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
