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IRFB7537PBF  与  SUP50020EL-GE3  区别

型号 IRFB7537PBF SUP50020EL-GE3
唯样编号 A-IRFB7537PBF A3t-SUP50020EL-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@100A,10V 2.8mΩ
漏源极电压Vds 60V 1.2V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 375W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO220 TO-220AB-3
连续漏极电流Id 173A(Tc) 120A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11113pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 126nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7020pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB7537PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 173A(Tc) ±20V 230W(Tc) 3.3mΩ@100A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 当前型号
SUP50020EL-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 120A 2.8mΩ 1.2V

暂无价格 0 对比
SUP50020EL-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 120A 2.8mΩ 1.2V

暂无价格 0 对比

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