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IRFB7440PBF  与  IRL40B215  区别

型号 IRFB7440PBF IRL40B215
唯样编号 A-IRFB7440PBF A-IRL40B215
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 143 W HEXFET Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB N-Channel 40 V 2.7 mOhm 56 nC Logic Level HexFEt Power Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ 2.7mΩ@98A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 208W 143W(Tc)
Qg-栅极电荷 135nC -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 164A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ HEXFET®,StrongIRFET™
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA 2.4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4730pF @ 25V 5225pF @ 25V
长度 10mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 135nC @ 10V 84nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA 2.4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4730pF @ 25V 5225pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 135nC @ 10V 84nC @ 4.5V
高度 15.65mm -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB7440PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 40V 120A 2.5mΩ 20V 208W

暂无价格 0 当前型号
IRL40B215 Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.7mΩ@98A,10V N-Channel 40V 164A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB7440GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 120A(Tc) ±20V 208W(Tc) 2.5mΩ@100A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比

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