首页 > 商品目录 > > > > IRFB7430PBF代替型号比较

IRFB7430PBF  与  PSMN1R9-40PLQ  区别

型号 IRFB7430PBF PSMN1R9-40PLQ
唯样编号 A-IRFB7430PBF A-PSMN1R9-40PLQ
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 375 W 460 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.3mΩ@100A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 349W
输出电容 - 1530pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 409A 150A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 14240pF @ 25V -
输入电容 - 13200pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 460nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 1.94mΩ@4.5V,1.7mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 14240pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 460nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB7430PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.3mΩ@100A,10V N-Channel 40V 409A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
PSMN1R9-40PLQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R9-40PL_SOT78 N-Channel 349W 175℃ 1.7V 40V 150A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售