IRFB5615PBF 与 AOT254L 区别
| 型号 | IRFB5615PBF | AOT254L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB5615PBF | A-AOT254L |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 144 W 26 nC Digital Audio Mosfet Flange Mount - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 4 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 39mΩ@21A,10V | 46mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 53mΩ |
| Qgd(nC) | - | 3 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 9 |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 150A | 32A |
| Ciss(pF) | - | 2150 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1750pF @ 50V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 51 |
| Td(off)(ns) | - | 29 |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 144W(Tc) | 125W |
| Qrr(nC) | - | 434 |
| VGS(th) | - | 2.7 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 100µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1750pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 110 |
| Qg*(nC) | - | 12 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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