首页 > 商品目录 > > > > IRFB52N15DPBF代替型号比较

IRFB52N15DPBF  与  PSMN030-150P,127  区别

型号 IRFB52N15DPBF PSMN030-150P,127
唯样编号 A-IRFB52N15DPBF A36-PSMN030-150P,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ@36A,10V -
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),230W(Tc) 250W
输出电容 - 470pF
栅极电压Vgs ±30V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 51A 55.5A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2770pF @ 25V -
输入电容 - 3680pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 30mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2770pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 89nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB52N15DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.8W(Ta),230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 32mΩ@36A,10V N-Channel 150V 51A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
PHP28NQ15T,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP28NQ15T_SOT78 N-Channel 150W 175℃ 3V 150V 28.5A

¥8.5096 

阶梯数 价格
20: ¥8.5096
50: ¥6.9751
0 对比
PSMN030-150P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN030-150P_SOT78 N-Channel 250W 175℃ 3V 150V 55.5A

¥13.6428 

阶梯数 价格
20: ¥13.6428
50: ¥11.1826
0 对比
PSMN030-150P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN030-150P_SOT78 N-Channel 250W 175℃ 3V 150V 55.5A

暂无价格 0 对比
IRFB52N15D Infineon  数据手册 功率MOSFET

32mΩ 150V TO-220 N-Channel 30V 60A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售