IRFB4620PBF 与 IRFB4020PBF 区别
| 型号 | IRFB4620PBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB4620PBF | A-IRFB4020PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.4mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72.5mΩ | 100mΩ@11A,10V |
| 上升时间 | 22.4ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 25nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | 37S | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220AB |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 25A | 18A |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 10mm | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | 10V |
| 下降时间 | 14.8ns | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1710pF @ 50V | - |
| 高度 | 15.65mm | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 144W | 100W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | 25.4ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA | 4.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1710pF @ 50V | 1200pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | 29nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 13.4ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4620PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 25A 72.5mΩ 20V 144W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP40NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 4,550 | 对比 |
|
STP20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 3,800 | 对比 |
|
IRF630NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRF640NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) 150mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRFB4020PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 100W(Tc) 100mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |