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IRFB4615PBF  与  IRFB41N15DPBF  区别

型号 IRFB4615PBF IRFB41N15DPBF
唯样编号 A-IRFB4615PBF A-IRFB41N15DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 144 W 26 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@21A,10V 45mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 35A 41A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 2520pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 2520pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4615PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 144W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 39mΩ@21A,10V N-Channel 150V 35A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
AOT254L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 150V 20V 32A 125W 46mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF3315 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 27A(Tc) ±20V 136W(Tc) 70mΩ@12A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
IRF3415PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@22A,10V N-Channel 150V 43A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFB33N15D Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 33A(Tc) ±30V 3.8W(Ta),170W(Tc) 56mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
IRFB41N15DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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