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IRFB4610PBF  与  AOT1100L  区别

型号 IRFB4610PBF AOT1100L
唯样编号 A-IRFB4610PBF A-AOT1100L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFB461 Series - N-Channel 100 V 14 mOhm 90 nC 190 W Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@44A,10V 12 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 190W(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 73A 8A(Ta),130A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3550pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4610PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 190W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@44A,10V N-Channel 100V 73A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
AOT298L AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 14.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 58A TO220 100W

暂无价格 0 对比
AUIRFB4610 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 73A 14mΩ 190W 车规

暂无价格 0 对比
AOT1100L AOS  数据手册 功率MOSFET

8A(Ta),130A(Tc) N-Channel ±20V 12 mΩ @ 20A,10V TO-220 2.1W(Ta),500W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
PSMN015-100P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-100P_SOT78 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 75A

¥11.066 

阶梯数 价格
20: ¥11.066
50: ¥9.2217
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