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IRFB4410ZPBF  与  STP100N10F7  区别

型号 IRFB4410ZPBF STP100N10F7
唯样编号 A-IRFB4410ZPBF A3-STP100N10F7
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 9 mO 83 nC Flange Mount Hexfet Power Mosfet - TO-220AB MOSFET N CH 100V 80A TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 97A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 7,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 7,000 对比
IPP086N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP086N10N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN027-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN027-100PS_SOT78 N-Channel 103W 175℃ 3V 100V 37A

¥7.7186 

阶梯数 价格
20: ¥7.7186
50: ¥6.4321
0 对比
PSMN4R4-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R4-80PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 100A

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比

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