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IRFB4410ZPBF  与  PSMN4R4-80PS,127  区别

型号 IRFB4410ZPBF PSMN4R4-80PS,127
唯样编号 A-IRFB4410ZPBF A-PSMN4R4-80PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 9 mO 83 nC Flange Mount Hexfet Power Mosfet - TO-220AB MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V -
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 306W
输出电容 - 700pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 97A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
输入电容 - 8400pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.1mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥15.5075
50+ :  ¥12.7111
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 18,000 对比
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TO-220

暂无价格 7,000 对比
IPP086N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP086N10N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN027-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN027-100PS_SOT78 N-Channel 103W 175℃ 3V 100V 37A

¥7.7186 

阶梯数 价格
20: ¥7.7186
50: ¥6.4321
0 对比
IRFB59N10D Infineon  数据手册 功率MOSFET

25mΩ 100V TO-220 N-Channel 30V 59A

暂无价格 0 对比

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