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IRFB4310ZPBF  与  IPP072N10N3GXKSA1  区别

型号 IRFB4310ZPBF IPP072N10N3GXKSA1
唯样编号 A-IRFB4310ZPBF A-IPP072N10N3GXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@75A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4910pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 127A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.2 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 90uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4310ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 7,000 对比
STP180N10F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN6R5-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN6R5-80PS_SOT78 N-Channel 210W 175℃ 3V 80V 100A

¥10.7086 

阶梯数 价格
20: ¥10.7086
50: ¥8.7775
0 对比
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP072N10N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN5R6-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 100A

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比

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