IRFB4229PBF 与 STP50NF25 区别
| 型号 | IRFB4229PBF | STP50NF25 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB4229PBF | A-STP50NF25 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 250 V 330 W 72 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 46mΩ@26A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 250V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 330W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 46A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4560pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFB4229PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 330W(Tc) 46mΩ@26A,10V -40°C~175°C(TJ) N-Channel 46A 250V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
|
STP50NF25 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 550 | 对比 |
|
|
STP50NF25 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFI4229PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 250V 19A(Tc) ±30V 46W(Tc) 46mΩ@11A,10V -40°C~150°C(TJ) TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SUP10250E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
63A(Tc) N-Channel 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 250V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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