首页 > 商品目录 > > > > IRFB4115PBF代替型号比较

IRFB4115PBF  与  IRFB4115GPBF  区别

型号 IRFB4115PBF IRFB4115GPBF
唯样编号 A-IRFB4115PBF A-IRFB4115GPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 11 mOhm 120 nC 380 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 Single N-Channel 150 V 380 W 120 nC Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@62A,10V 11mΩ@62A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 380W(Tc) 380W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 104A 104A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5270pF @ 50V 5270pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5270pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4115PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) 11mΩ@62A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 104A 150V TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
IRFB4321PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 350W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@33A,10V N-Channel 150V 85A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFB4115GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@62A,10V N-Channel 150V 104A TO-220AB

暂无价格 0 对比
PSMN030-150P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN030-150P_SOT78 N-Channel 250W 175℃ 3V 150V 55.5A

¥13.6428 

阶梯数 价格
20: ¥13.6428
50: ¥11.1826
0 对比
PSMN030-150P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN030-150P_SOT78 N-Channel 250W 175℃ 3V 150V 55.5A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售